Selamat datang ke www.icgogo.com

Pilih Bahasa

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Sekiranya bahasa yang anda perlukan tidak tersedia sila " Hubungi Perkhidmatan Pelanggan "

EPC2030ENGR

Nombor Bahagian : EPC2030ENGR
Pengilang / jenama : EPC
Penerangan : TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
Status RoHS : Lead percuma / RoHS Compliant
Kuantiti Tersedia 6050 pcs
Helaian data EPC2030ENGR.pdf
Voltan - Ujian 1900pF @ 20V
Voltan - Breakdown Die
VGS (th) (Max) @ Id 2.4 mOhm @ 30A, 5V
Teknologi GaNFET (Gallium Nitride)
Siri eGaN®
Rosh Status Tray
Rds On (Max) @ Id, VGS 31A (Ta)
polarisasi Die
Nama lain 917-EPC2030ENGR
Suhu Operasi -40°C ~ 150°C (TJ)
pemasangan Jenis Surface Mount
Kelembapan Kepekaan Level (MSL) 1 (Unlimited)
Nombor Bahagian pengilang EPC2030ENGR
Input kemuatan (CISS) (Max) @ Vds 18nC @ 5V
Gate Charge (QG) (Max) @ VGS 2.5V @ 16mA
FET Ciri N-Channel
berkembang Penerangan N-Channel 40V 31A (Ta) Surface Mount Die
Parit untuk Source Voltan (Vdss) -
Penerangan TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
Semasa - Drain berterusan (Id) @ 25 ° C 40V
Nisbah kemuatan -
EPC2030ENGR
EPC EPC Imej adalah untuk rujukan sahaja. Lihat Spesifikasi Produk untuk butiran produk.
Beli EPC2030ENGR dengan keyakinan dari {Define: Sys_Domain}, Jaminan 1 Tahun
Hantar permintaan untuk sebut harga pada kuantiti yang lebih besar daripada yang dipaparkan.
Harga sasaran (USD):
Kuantiti:
Jumlah:
$US 0.00

Produk Berkaitan

Proses penghantaran